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HCCC120R080H1
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参数 值
EPN HCCC120R080H1
Type SiC MOS
BVDSS [V] 1200.00
VGS[V] -5.00~20.00
VTH[V] 1.80~4.50
ID[A] 37.00
PD(W) 221.00
RDON Typ *[mohm]@VGS=20V 80.00
Ciss[pF] 1255.00
Coss[pF] 80.00
Crss[pF] 5.00
Qg(10V)[nC] 58.00
Package TO-263
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