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SC5510G
SC5510G
集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片
SC5510G是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510G只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5510G特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510G的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供大能量。
  • 单节锂离子/聚合物电池保护芯片
  • 成本低,易于设计,只需要一个电容和电阻
  • 精确的延时电路
  • 充电过压保护及释放
  • 放电过压保护及释放
  • 充电过流保护
  • 放电过流保护
  • 负载短路保护
  • 支持0V电池充电功能
  • 电池反充保护
  • 集成超低Rdson MOSFET (9 mΩ,VM-GND)
  • 低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)
  • 热关断
  • 采用2mm * 2mm DFN封装
  • 移动电源
  • 单节锂电池
  • 可穿戴设备
  • 移动设备
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