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HCCZ120R080H1
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参数 值
EPN HCCZ120R080H1
Type SiC MOS
BVDSS [V] 1200.00
VGS[V] -5.00~20.00
VTH[V] 2.00~4.00
ID[A] 36.00
PD(W) 288.00
RDON Typ *[mohm]@VGS=20V 80.00
Ciss[pF] 1410.00
Coss[pF] 97.00
Crss[pF] 55.50
Qg(10V)[nC] 6.70
Package TO-247-4L
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